2010中级电工证考试试题

一、单一选择题：

1．金属导体的电阻值随着温度的升高而（A ）。 A：增大 B：减少 C：恒定 D：变弱

2．纯电感电路的感抗为（B ）。 A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL

3．在正弦交流电阻电路中，正确反映电流电压的关系式为（ C）。 A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R

4．在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上）这个电流称为（B ）。 A：触发电流 B：强触发电流 C：掣位电流 D：导通电流

5．三相负载接在三相电源上，若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ，应作（ A）连接。 A：星形 B：三角形 C：开口三角形 D：双星形

6．单相正弦交流电路中有功功率的表达式是（C ）。 A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ

7．纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流（A ）。 A：超前90° B：滞后90° C：同相 D：超前0~90°

8．两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，则有（C）。A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：不能判断相位差 D：

9．射极输出器的输出阻抗（ B），故常用在输出极。 A：较高 B：低 C：不高不低 D：很高

10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ C）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2

11．三相变压器的连接组别是表示（ A）。 A：原付边线电压的相位关系 B：原付边的同名端关系 C：原付边相电压的时至中关系 D：原付边电流大小关系

12．射极输出器的电压放大倍数约等于（ B）。 A：80--100 B：1 C：<50

13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ C）。A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大

14．某正弦交流电压的初相角中，φU=π/6，在t=0时，其瞬时值将（ B）。 A：小于零 B：大于零 C：等于零 D：不定

15．已知msinwt第一次达到最大值的时刻是0.005s，则第二次达到最大值时刻在（ B）。 A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s

16．U=311sin（314t-15°）伏，则U=（ D）伏。 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°

17．实际电压源与实际电流源的等效互换，对内电路而言是（B ）。 A：可以等效 B：不等效 C：当电路为线性时等效 D：当电路为非线性时等效

19．任一条件具备都可以得到肯定的结论，这是（B ）逻辑。

A：与 B：或 C：或非 D：非

20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（ C）。

A：电压负反馈 B：电压正反馈 C：电流负反馈 D：电流正反馈

21．Z=A+B是（D ）逻辑。

A：与 B：与或非 C：与或非 D：或非

22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ C）放大电路。

A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极

23．结论和给定条件相反的逻辑是（ D）。

A：与 B：或 C：与非 D：非

24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（A ）
型。

A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管

25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（B ）。

A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈

26．可控硅的正向阻断是（ B）。

A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压 B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压

C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压

27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（ D）安。

A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°

28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。

A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2

29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（ C）逻辑。

A：与非 B：或非 C：与 D：非

30．单相桥式半

控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ B）之间连续可调。

A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2

31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（ D）A。

A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°

32．可控硅导通条件是(B )。

A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压

C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压

33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（B ）工作状态。 A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路

34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（ C）。 A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通

35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ D）。

A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°

36．戴维南定理只适用于（ C）。

A：外部为非线性电路 B：外部为线性电路 C：内部为线性含源电路 D：内部电路为非线性含源电路

37．可控硅有（C ）PN结组成。

A：1个 B：2个 C：3个 D：4个

38．电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为（ A）。

A：充电过程并吸取电能转换为电场能 B：充电过程并吸取电场能转换为电能 C：放电过程并由电场能释放为电能 D：放电过程并由电能释放为电场能

39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（A ）型。

A：NPN B：PNP C：N D：P

40．已知：电流I=6+j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I=（A ）。